探討無(wú)塵車(chē)間凈化對濕度的控制

　　濕度控制是無(wú)塵車(chē)間生產(chǎn)必需具備的重要條件，相對濕度是無(wú)塵車(chē)間、潔凈室運作過(guò)程中一個(gè)常用的環(huán)境控制條件。半導體無(wú)塵車(chē)間、潔凈室中的典型的相對濕度的目標值大約控制在30至50%的范圍內，允許誤差在±1%的狹窄的范圍內，例如光刻區或者在遠紫外線(xiàn)處理(DUV)區甚至更小而在其他地方則可以放松到±5%的范圍內。

　　近年，在這些規定范圍中保持處理空氣過(guò)程，相對濕度有一系列可能使潔凈室總體表現下降的因素，其中包括：

　　1、細菌生長(cháng);

　　2、工作人員感到室溫舒適的范圍;

　　3、出現靜電荷;

　　4、金屬腐蝕;

　　5、水汽冷凝;

　　6、光刻的退化;

　　7、吸水性。

　　細菌和其他生物污染(霉菌，病毒，真菌，螨蟲(chóng))在相對濕度超過(guò)60%的環(huán)境中可以活躍地繁殖。一些菌群在相對濕度超過(guò)30%時(shí)就可以增長(cháng)。在相對濕度處于 40%至60%的范圍之間時(shí)，可以使細菌的影響以及呼吸道感染降至最低。相對濕度在40%至60%的范圍同樣也是人類(lèi)感覺(jué)舒適的適度范圍。濕度過(guò)高會(huì )使人覺(jué)得氣悶，而濕度低于30%則會(huì )讓人感覺(jué)干燥，皮膚破裂，呼吸道不適以及情感上的不快。

　　高濕度實(shí)際上減小了無(wú)塵車(chē)間、潔凈室表面的靜電荷積累── 這是大家希望的結果。較低的濕度比較適合電荷的積累并成為潛在的具有破壞性的靜電釋放源。當相對濕度超過(guò)50%時(shí)，靜電荷開(kāi)始迅速消散，但是當相對濕度小于30%時(shí)，它們可以在絕緣體或者未接地的表面上持續存在很長(cháng)一段時(shí)間。相對濕度在35%到40%之間可以作為一個(gè)令人滿(mǎn)意的折中，半導體無(wú)塵車(chē)間、潔凈室一般都使用額外的控制裝置以限制靜電荷的積累。很多化學(xué)反應的速度，包括腐蝕過(guò)程，將隨著(zhù)相對濕度的增高而加快。所有暴露在無(wú)塵車(chē)間、潔凈室周?chē)�空氣中的表面都很快地被覆蓋上至少一層單分子層的水。當這些表面是由可以與水反應的薄金屬涂層組成時(shí)，高濕度可以使反應加速。幸運的是，一些金屬，例如鋁，可以與水形成一層保護型的氧化物，并阻止進(jìn)一步的氧化反應;但另一種情況是，例如氧化銅，是不具有保護能力的，因此，在高濕度的環(huán)境中，銅制表面更容易受到腐蝕。在相對濕度較高的環(huán)境中，濃縮水形的毛細管力在顆粒和表面之間形成了連接鍵，可以增加顆粒與硅質(zhì)表面的黏附力。相對濕度小于50%時(shí)并不重要，但當相對濕度在70%左右時(shí)，就成為顆粒之間黏附的主要力量。

　　到目前為止，在半導體無(wú)塵車(chē)間、潔凈室中最迫切需要適當控制的是光刻膠的敏感性。由于光刻膠對相對濕度極為敏感的特性，它對相對濕度的控制范圍的要求是最嚴格的水準。

　　實(shí)際上，相對濕度和溫度對于光刻膠穩定性以及精確的尺寸控制都是很關(guān)鍵的。甚至是在恒溫條件下，光刻膠的粘性將隨著(zhù)相對濕度的上升而迅速下降。當然，改變粘性，就會(huì )改變由固定組分涂層形成的保護膜的厚度。相對濕度的3%的變異將使保護厚度改變59.2A。

　　此外，在高的相對濕度環(huán)境下，由于水分的吸收，使烘烤循環(huán)后光刻膠膨脹加重。光刻膠附著(zhù)力同樣也可以受到較高的相對濕度的負面影響。較低的相對濕度(約30%)使光刻膠附著(zhù)更加容易，甚至不需要聚合改性劑，如六甲基二硅氮烷(HMDS)。