產(chǎn)品分類(lèi)
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實(shí)驗室儀器
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傳感器的噪聲及其抑制方法
[2014/1/6]
詳細分析了傳感器電路的噪聲源,給出了實(shí)際的解決方法如屏蔽、隔離等,以及濾波、檢波等信號處理電路。
關(guān)鍵詞:傳感器,噪聲,信號處理
1 引 言
傳感器作為自控系統的前沿哨兵,猶如電子眼一般將被測信息接收并轉換為有效的電信號,但同時(shí),一些無(wú)用信號也攙雜在其中。這些無(wú)用信號我們統稱(chēng)為噪聲。
應該說(shuō),噪聲存在于任何電路之中,但它對傳感器電路的影響卻尤為突出。這是因為,傳感器的輸出阻抗一般都很高,使其輸出信號衰減厲害,同時(shí),傳感器自容易被噪聲信號淹沒(méi)。因此,噪聲的存在必定影響傳感器的精度和分辨率,而傳感器又是檢測自控系統的首要環(huán)節,于是勢必影響整個(gè)自控系統的性能。
由此,噪聲的研究是傳感器電路設計中必須考慮的重要環(huán)節,只有有效地抑制、減少噪聲的影響才能有效利用傳感器,才能提高系統的分辨率和精度。
但噪聲的種類(lèi)多,成因復雜,對傳感器的干擾能力也有很大差異,于是抑制噪聲的方法也不同。下面就傳感器的噪聲問(wèn)題進(jìn)行較全面的研究。
2 傳感器的噪聲分析及對策
傳感器噪聲的產(chǎn)生根源按噪聲源分為內部噪聲和外部噪聲。
2.1 內部噪聲——來(lái)自傳感器件和電路元件的噪聲
2.1.1 熱噪聲
熱噪聲的發(fā)生機理是,電阻中自由電子做不規則的熱運動(dòng)時(shí)產(chǎn)生電位差的起伏,它由溫度引發(fā)且與之呈正比,由下面的奈奎斯特公式表示:
其中,Vn:噪聲電壓有效值;K:波耳茲曼常數(1.38×10-23J·K-1);T:絕對溫度(K);B:系統的頻帶寬度(Hz);R:噪聲源阻值(Ω)。
噪聲源包括傳感器自身內阻,電路電阻元件等。
由公式(1)可見(jiàn),熱噪聲由于來(lái)自器件自身,從而無(wú)法根本消除,宜盡可能選擇阻值較小的電阻。
同時(shí),熱噪聲與頻率大小無(wú)關(guān),但與頻帶寬成正比,即,對應不同的頻率有均勻功率分布,故,也稱(chēng)白噪聲。因此,選擇窄頻帶的放大器和相敏檢出器可有效降低噪聲。
2.1.2 放大器的噪聲
2.1.3 散粒噪聲
散粒噪聲的噪聲源為晶體管,其機理是由到達電極的帶電粒子的波動(dòng)引起電流的波動(dòng)形成的。噪聲電流In與到達電極的電流Ic及頻帶寬度B成正比,可表示為:
由此可見(jiàn),使用雙極型晶體管的前置放大器來(lái)放大傳感器的輸出信號的場(chǎng)合,選Ic取值盡可能小。同時(shí),也可選擇窄頻帶的放大器降低散粒噪聲電流。
2.1.4 1/f噪聲
1/f噪聲和熱噪聲是傳感器內部的主要噪聲源,但其產(chǎn)生機理目前還有爭議,一般認為它是一種體噪聲,而不是表面效應,源于晶格散射引起。在晶體管的P-N附近是電子-空穴再復合的不規則性產(chǎn)生的噪聲,該噪聲的功率分布與頻率成反比,并由此而得名。其噪聲電壓表示為:
Hooge還在1969年提出了一個(gè)解釋1/f噪聲的經(jīng)驗公式:
式中,SRH和SVH為相應于電阻起伏和電壓起伏的功率噪聲密度,V為加在R上的偏壓,N為總的自由載流子數,α叫Hooge因子,是一個(gè)與器件尺寸無(wú)關(guān)的常數,它是一個(gè)判斷材料性能的重要參數。
對于矩形電阻,總的自由載流子數N=PLWH,其中,P為載流子濃度,L、W、H為電阻的長(cháng)、寬、厚。
因此,我們可以得出:1/f噪聲與力敏電阻的幾何參數有關(guān),一般對某確定的材料,擴大電阻面積可以使N增加、減小1/f噪聲。同時(shí),實(shí)驗表明:一味增加尺寸將降低靈敏度,增加噪聲譜振動(dòng)幅度,而選L/W=10,L在100μm~200μm較合適。
同時(shí),1/f噪聲與材料也有關(guān)。實(shí)驗表明:?jiǎn)尉Ч杳黠@好于微晶硅,而微晶硅略好于多晶硅。主要原因在于,單晶硅具有較完整的晶格結構。材料因數引起的1/f噪聲除了晶格缺陷外,材料中的氫原子或原子團的移動(dòng)和晶粒的邊界也是引起1/f噪聲的另一個(gè)主要原因。
由以上公式可知,載流子濃度與1/f噪聲成反比,而不同的摻雜濃度對應著(zhù)不同的載流子濃度,因此摻雜濃度也是影響1/f噪聲的因數。實(shí)驗表明,摻雜濃度每增加10倍,1/f噪聲降低36%~50%,但最佳攙雜濃度一般選為5×1015cm-2。
2.1.5 開(kāi)關(guān)器件產(chǎn)生的噪聲
一般在使用模擬多路開(kāi)關(guān)使眾多的傳感器輸出交替使用一個(gè)放大器電路的場(chǎng)合(如MOS型圖像傳感器),開(kāi)關(guān)的開(kāi)、合產(chǎn)生相應的噪聲干擾,而疊加到輸出信號中。
關(guān)鍵詞:傳感器,噪聲,信號處理
1 引 言
傳感器作為自控系統的前沿哨兵,猶如電子眼一般將被測信息接收并轉換為有效的電信號,但同時(shí),一些無(wú)用信號也攙雜在其中。這些無(wú)用信號我們統稱(chēng)為噪聲。
應該說(shuō),噪聲存在于任何電路之中,但它對傳感器電路的影響卻尤為突出。這是因為,傳感器的輸出阻抗一般都很高,使其輸出信號衰減厲害,同時(shí),傳感器自容易被噪聲信號淹沒(méi)。因此,噪聲的存在必定影響傳感器的精度和分辨率,而傳感器又是檢測自控系統的首要環(huán)節,于是勢必影響整個(gè)自控系統的性能。
由此,噪聲的研究是傳感器電路設計中必須考慮的重要環(huán)節,只有有效地抑制、減少噪聲的影響才能有效利用傳感器,才能提高系統的分辨率和精度。
但噪聲的種類(lèi)多,成因復雜,對傳感器的干擾能力也有很大差異,于是抑制噪聲的方法也不同。下面就傳感器的噪聲問(wèn)題進(jìn)行較全面的研究。
2 傳感器的噪聲分析及對策
傳感器噪聲的產(chǎn)生根源按噪聲源分為內部噪聲和外部噪聲。
2.1 內部噪聲——來(lái)自傳感器件和電路元件的噪聲
2.1.1 熱噪聲
熱噪聲的發(fā)生機理是,電阻中自由電子做不規則的熱運動(dòng)時(shí)產(chǎn)生電位差的起伏,它由溫度引發(fā)且與之呈正比,由下面的奈奎斯特公式表示:
其中,Vn:噪聲電壓有效值;K:波耳茲曼常數(1.38×10-23J·K-1);T:絕對溫度(K);B:系統的頻帶寬度(Hz);R:噪聲源阻值(Ω)。
噪聲源包括傳感器自身內阻,電路電阻元件等。
由公式(1)可見(jiàn),熱噪聲由于來(lái)自器件自身,從而無(wú)法根本消除,宜盡可能選擇阻值較小的電阻。
同時(shí),熱噪聲與頻率大小無(wú)關(guān),但與頻帶寬成正比,即,對應不同的頻率有均勻功率分布,故,也稱(chēng)白噪聲。因此,選擇窄頻帶的放大器和相敏檢出器可有效降低噪聲。
2.1.2 放大器的噪聲
2.1.3 散粒噪聲
散粒噪聲的噪聲源為晶體管,其機理是由到達電極的帶電粒子的波動(dòng)引起電流的波動(dòng)形成的。噪聲電流In與到達電極的電流Ic及頻帶寬度B成正比,可表示為:
由此可見(jiàn),使用雙極型晶體管的前置放大器來(lái)放大傳感器的輸出信號的場(chǎng)合,選Ic取值盡可能小。同時(shí),也可選擇窄頻帶的放大器降低散粒噪聲電流。
2.1.4 1/f噪聲
1/f噪聲和熱噪聲是傳感器內部的主要噪聲源,但其產(chǎn)生機理目前還有爭議,一般認為它是一種體噪聲,而不是表面效應,源于晶格散射引起。在晶體管的P-N附近是電子-空穴再復合的不規則性產(chǎn)生的噪聲,該噪聲的功率分布與頻率成反比,并由此而得名。其噪聲電壓表示為:
Hooge還在1969年提出了一個(gè)解釋1/f噪聲的經(jīng)驗公式:
式中,SRH和SVH為相應于電阻起伏和電壓起伏的功率噪聲密度,V為加在R上的偏壓,N為總的自由載流子數,α叫Hooge因子,是一個(gè)與器件尺寸無(wú)關(guān)的常數,它是一個(gè)判斷材料性能的重要參數。
對于矩形電阻,總的自由載流子數N=PLWH,其中,P為載流子濃度,L、W、H為電阻的長(cháng)、寬、厚。
因此,我們可以得出:1/f噪聲與力敏電阻的幾何參數有關(guān),一般對某確定的材料,擴大電阻面積可以使N增加、減小1/f噪聲。同時(shí),實(shí)驗表明:一味增加尺寸將降低靈敏度,增加噪聲譜振動(dòng)幅度,而選L/W=10,L在100μm~200μm較合適。
同時(shí),1/f噪聲與材料也有關(guān)。實(shí)驗表明:?jiǎn)尉Ч杳黠@好于微晶硅,而微晶硅略好于多晶硅。主要原因在于,單晶硅具有較完整的晶格結構。材料因數引起的1/f噪聲除了晶格缺陷外,材料中的氫原子或原子團的移動(dòng)和晶粒的邊界也是引起1/f噪聲的另一個(gè)主要原因。
由以上公式可知,載流子濃度與1/f噪聲成反比,而不同的摻雜濃度對應著(zhù)不同的載流子濃度,因此摻雜濃度也是影響1/f噪聲的因數。實(shí)驗表明,摻雜濃度每增加10倍,1/f噪聲降低36%~50%,但最佳攙雜濃度一般選為5×1015cm-2。
2.1.5 開(kāi)關(guān)器件產(chǎn)生的噪聲
一般在使用模擬多路開(kāi)關(guān)使眾多的傳感器輸出交替使用一個(gè)放大器電路的場(chǎng)合(如MOS型圖像傳感器),開(kāi)關(guān)的開(kāi)、合產(chǎn)生相應的噪聲干擾,而疊加到輸出信號中。